Со структурата на Шотки бариерната диода со висока фреквенција, SiC SBD постигнува висок напон од повеќе од 600 V, додека максималниот отпорен напон на силициум SBD е само 200 V или повеќе, а неговиот пад на напон во состојба е многу помал од оној на силиконската диода за брзо обновување. неговото време за враќање на исклучувањето е помало, па оттука загубата на исклучување е помала, што резултира со помали електромагнетни пречки EMI. Употребата на SiC SBD за замена на главниот производ силиконска диода за брзо обновување FRD, може значително да ја намали вкупната загуба, да ја подобри ефикасноста на напојувањето и преку високофреквентното работење да постигне минијатуризација на пасивните компоненти како што се индуктори и кондензатори. , а електромагнетните пречки ЕМИ е помал. Силиконскиот карбид SBD може широко да се користи во климатизери, напојувања, инвертери во системи за производство на фотонапонска енергија, системи за моторно влечење за електрични возила и брзи полначи.